三菱CM150DU-12F北京京诚宏泰科技有限公司原装*现货销售三菱IGBT模块CM150DU-12F。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，

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  由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：

  在使用模块时，最好还是不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸; 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块; 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极zui大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，一般会用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也能抑制振荡电压。

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  ● 应用。应该要依据一些特殊应用调整产品。例如电动汽车IGBT与一般工业用的IGBT在技术工艺性能上的主要区别在生产工序，因为是车载产品，要实现超高品质车载级模块。在IGBT加工工序的开始，每个生产工序都需要管理，对生产的全部过程进行精细控制，产品出货时要有档案管理。如果有一个产品出问题，马上可以查到数据。目前，日系混合动力车基本上使用三菱电机的模块。

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  IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输进阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时，各大半导体制造商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠、低本钱技术，主要是采用1um以下制作流程与工艺，研制开发取得一些新进展。

  IGBT应用场景范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域，为满足家电行业的发展需求，摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品，实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。

  U（沟槽结构）--IGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞内部形成沟槽式栅极。采用沟道结构后，可进一步缩小元胞尺寸，减少沟道电阻，进步电流密度，制造相同额定电流而芯片尺寸zui少的产品。现有多家公司生产各种UIGBT产品，适用低电压驱动、表面贴装的要求。

  NPT（非传统型）--IGBT采用薄硅片技术，以离子注进发射区代替高复杂、高本钱的厚层高阻外延，可降低生产本钱25%左右，耐压越高本钱差越大，在性能上更具有特色，高速、低损耗、正温度系数，无锁定效应，在设计6001200V的IGBT时，NPTIGBT可靠性zui高。西门子公司可提供600V、1200V、1700V系列产品和6500V高压IGBT，并推出低饱和压降DLC型NPTIGBT，依克赛斯、哈里斯、英特西尔、东芝等公司也相继研制出NPTIGBT及其模块系列，富士电机、摩托罗拉等在研制之中，NPT型正成为IGBT发展方向。

  鉴于目前厂家对IGBT的开发很看重，三星、快捷等公司采用SDB（硅片直接键合）技术，在IC生产线上制作第四代高速IGBT及模块系列新产品，特点为高速，低饱和压降，低拖尾电流，正温度系数易于并联，在600V和1200V电压范围性能优良，分为UF、RUF两大系统。

  整流器IR公司的研发重点在于减少IGBT的拖尾效应，使其能快速关断，研制的超快速IGBT可zui大限度地减少拖尾效应，关断时间不超过2000ns，采取了特殊高能照射分层技术，关断时间可在100ns以下，拖尾更短，重点产品专为电机控制而设计，现有6种型号，另可用在大功率电源变换器中。

  IR公司在IGBT基础上推出两款结合FRD（迅速恢复二极管）的新型器件，IGBT/FRD有效结合，将转换状态的损耗减少20%，采用TO247外型封装，额定规格为1200V、25、50、75、100A，用于电机驱动和功率转换，以IGBT及FRD为基础的新技术便于器件并联，在多芯片模块中实现更均匀的温度，进步整体可靠性。

  IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为12001800A/18003300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大幅度的降低电路接线电感，进步系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热门。

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  三菱功率模块已经大范围的使用在整流和逆变电路。IGBT是电源或电机驱动用变频电路的开关元件。为了真正满足市场对装置噪音低、效率高、体积小、重量轻、精度高、功能强、容量大的要求，三菱电机积*力于新型器件的研究、开发，为人类的节能和环保不断努力。目前已开发出的IGBT模块，IPM，DIPIPMTM，MOSFET，HVIGBT等功率模块的主要应用于：通用变频器，伺服驱动器，电源装置，电梯，电焊机，逆变焊机，风力发电，太阳能发电，感应加热器，电动叉车，铁道交通、显示装置，马达控制，焊接机器人，机车主变流器和辅助变流器等

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